国产光刻技术最新进展，7nm芯片是极限吗！

自从华为一事之后，不少中国人都开始意识到芯片国产化的重要性的，但是无奈的是，我国芯片行业的发展起步晚，而且由于跟西方先进国家之间存在着很大的技术差距，所以想要在短时间之内追上最先进的 技术并不是一件容易的事情。不过，我国的科研人员也在为实现芯片国产化努力中。

最近芯片生产领域重要的部分光刻胶也传来了好消息，南大光电成功在193nm光刻胶技术上取得突破。而台积电之所以能够在芯片代加工领域拥有这么高的地位，很大一部分原因就是因为它拥有193nm浸润光刻技术，而这光刻技术就需要使用到193nm Arf浸润光刻胶。

在现在的光刻胶生产市场里，ArF光源的光刻胶占据了市场总额的42%，而值得一提的是，因为技术垄断，所以之前的ArF光源的光刻胶都是由美国企业或者日本企业提供的，两个国家一直都是在这个领域里占据着垄断的地位。谁能够想到中国现在能够一举突破技术限制，打破这个垄断地位。

ArF光源的光刻胶虽然没有EUV光刻胶技术先进，但是中国现在有一个优势，那就是EUC光刻胶的技术还没有得到成熟，在它正式推向市场之前，ArF光源的光刻胶依然能够有很大的市场空间。很多人觉得中国想要成功制造出7nm芯片是一件很困难的事情，但是从现在的情况来看，想要做出国产7nm芯片并不是不切实际的梦。